Plan Optik AG
	GLAS-SI-VERBUNDWAFER SOG-Wafer Borosilikatwafer mit Siliziumschicht. Glasdicke typischerweise 500-1000 µm. Si-Dicke typischerweise 50-200 µm mit edge-grind zur Bondspaltentfernung. Oberflächen poliert und erneut bondfähig. GOS-Wafer Siliziumwafer mit Borosilikatschicht. Si-Dicke typischerweise 500-1000 µm. Glasdicke typischerweise 50-200 µm mit edge-grind zur Bondspaltentfernung. Oberflächen poliert und erneut bondfähig. Edge-Grind Bondspaltentfernung an Verbundwafern. Asymmetrische Kantenbearbeitung von Si- und Glaswafern. Direktbond Glas-Glas-Verbundwafer Si-Glas-Verbundwafer Kontakt Carsten Wesselkamp Email: c.wesselkamp@planoptik.com Telefon: +49 2664 5068 25 Fax: +49 2664 5068 91     ZURÜCK