Glass on Silicon- / Silicon on Glasswafer

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Material



Plan Optik fertigt GOS- und SOG-Wafer aus miteinander verbondetem Borosilikatglas und Silizium.*


Borosilikatglas


Typ Borofloat 33 ®
Dickenbereich 100 - 3000 µm
Ausdehnungskoeffizient (CTE) 3,25 x 10 -6 K-1 (angepasst an Si)
Brechungsindex (nD) 1,4713
Elektrische Eigenschaften Dielektrische Konstante (25°C; 1 MHz): 4,6
Verlustfaktor (25°C; 1 MHz): 37x10-4
Haupteigenschaften Ausdehnungskoeffizient angepasst an Si,
anodisch bondbar

Silizium


Plan Optik verwendet für die Herstellung von GOS- und SOG- Wafern sämtliche am Markt verfügbare, monokristalline Standard-Silizium-Wafer, deren Spezifikationen in Abhängigkeit vom Kundenwunsch passend gewählt werden.

Für GOS- und SOG-Wafer werden typischerweise p-Bor-dotierte <100> Wafer verwendet.



* Alle technischen Daten gem. Angaben der Hersteller der Rohmaterialien - ohne Gewähr - Änderungen vorbehalten