Quarz Wafer ab Lager

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Quarz Wafer ab Lager



Sie benötigen dringend Quarz Wafer? Bestellen Sie und wir liefern sofort (Zwischenverkauf vorbehalten).

Mindestbestellmenge: nur 10 Stück.

Diese Quarz Wafer fertigen wir aus amorphem Silizium-Dioxid (SiO2) höchster Reinheit. Sie zeichnen sich durch eine sehr gute Transmission im nahen UV-, VIS- und IR- Bereich aus. Die thermische Ausdehnung sowie der Hydroxyl-Gehalt (OH) befinden sich auf einem sehr niedrigen Niveau. Aus diesem Grund eignen sich diese Wafer für nahezu alle Anwendungen - speziell für Hochtemperatur-Anwendungen im Einsatz oder bei der Verarbeitung. Wafer aus diesem Material sind praktisch Blasen- und Fluoreszenzfrei.


Material Amorphes Quarzglas (SiO2)
Haupteigenschaften alkalifrei
niedrige Fluoreszenz
niedriger OH-Gehalt
hohe Temperaturbeständigkeit
Thermische Daten  
Erweichungstemperatur (softening)
Anlasstemperatur (annealing)
Entspannungstemperatur (strain)
Max. Einsatztemperatur (kontinuierlich)
Max. Einsatztemperatur (kurzzeitig)
1710 °C
1220 °C
1125 °C
1160 °C
1300 °C
Wärmeleitfähigkeit
(W/(m K))
20 °C: 1.38
100 °C: 1.47
200 °C: 1.55
300 °C: 1.67
400 °C: 1.84
950 °C: 2.68
Thermischer Ausdehnungskoeffizient (cte)
(10-6 K-1)
0..100 °C: 0.51
0..200 °C: 0.58
0..300 °C: 0.59
0..600 °C: 0.54
0..900 °C: 0.48
-50..0 °C: 0.27
Spezifische Wärmekapazität
(J/(kg K))
0..100 °C: 772
0..500 °C: 964
0..900 °C: 1052
Mechanische Daten  
Dichte (kg/m3)
Mohs-Härte
Knoop-Härte (N/mm2)
E-Modul (20 °C; MPa)
Querkontraktionszahl

2203
5.5..6.5
5800..6100
72500
0.17
Elektrische Daten  
Spezifischer Widerstand
(Ω cm)
20 °C: 1.0 x 1018
400 °C: 1.0 x 1010
800 °C: 6.3 x 106
1200 °C: 1.3 x 105
Durchschlagsfestigkeit
(KV/mm; sample thickness ≥ 5 mm)
20 °C: 25..40
500 °C: 4..5
Dielektrischer Verlustwinkel (tg δ) 1 KHz: 5.0 x 10-4
1 MHz: 1.0 x 10-4
3 x 1010 Hz: 4.0 x 10-4
Dielektrizitätszahl (ε) 20 °C; 0..106 Hz: 3.70
23 °C; 9x108 Hz: 3.77
23 °C; 3x1010 Hz: 3.81
Chemische Daten
Verunreinigungen (ppm)

Al Ca Cr Cu Fe K Li Mg Mn Na Ti Zr OH
15 0,5 < 0.05 < 0.05 0.1 0.4 0.6 0.05 < 0.05 0.3 1.1 0.7 < 30


Optische Daten  
Transmission
(typisch; 1 mm dick; inklusive Fresnel-Reflexionsverluste)
200 nm: 75%
250 nm: 87%
300..3500 nm: 92%

Wafer Oberflächenbearbeitung doppelseitig poliert, scratch-dig 20-10 gemäß MIL-PRF-13830
Oberflächenrauheit mittlere Rauheit (Ra) < 0.5 nm
Waferkante gemäß SEMI M1
Randausschlusszone 6 mm
Verpackung reinraumverpackt Klasse 6 gemäß ISO 14644 (entspricht Klasse 1000 gemäß Fed209e)

Verfügbare Produkte

Artikelnummer Durchmesser (mm) Dicke (μm) ttv (μm) SEMI index
V015.04-1104 100.0 ±0.3 200 ± 10 < 10 32.5 mm
V015.04-1105 100.0 ±0.3 300 ± 10 < 10 32.5 mm
V015.04-1107 100.0 ±0.3 525 ± 10 < 10 32.5 mm
V015.04-1109 100.0 ±0.3 675 ± 10 < 10 32.5 mm
V015.04-1111 100.0 ±0.3 1000 ± 10 < 10 32.5 mm
V015.06-1104 150.0 ±0.3 200 ± 10 < 10 57.5 mm
V015.06-1105 150.0 ±0.3 300 ± 10 < 10 57.5 mm
V015.06-1107 150.0 ±0.3 525 ± 10 < 10 57.5 mm
V015.06-1109 150.0 ±0.3 675 ± 10 < 10 57.5 mm
V015.06-1111 150.0 ±0.3 1000 ± 10 < 10 57.5 mm
V015.08-1105 200.0 ±0.3 300 ± 10 < 10 Notch
V015.08-1107 200.0 ±0.3 525 ± 10 < 10 Notch
V015.08-1109 200.0 ±0.3 675 ± 10 < 10 Notch
V015.08-1111 200.0 ±0.3 1000 ± 10 < 10 Notch

Neben obigen Wafern, die in der Regel ab Lager verfügbar sind, produziert Plan Optik individuelle Quarzwafer gemäß Kundenspezifikation (diverse Materialien, Dicken, Abmessungen, etc.).



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