Kundenspezifische Borosilikatwafer

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Strukturierung



Plan Optik strukturiert Wafer unter Einsatz nasschemischer und mechanischer Verfahren. Zum Einsatz kommen HF-Ätzen von Glas und Quarz, KOH-Ätzen von Silizium, als auch Ultraschallbohren, Sandstrahlen und Diamantbohren von Glas, Quarz und Si. Hiermit werden Durchgangs- und Sackbohrungen, als auch Kavitäten und Trenches erzeugt.


HF-Ätzen


Wafer bis 200 mm Durchmesser
Dieses isotrope Ätzverfahren wird bevorzugt zur Erzeugung flacher Kavitäten in Glas und Quarz eingesetzt. Je nach Ätztiefe werden Vertiefungen optischer Qualität eingebracht. Die Ätztiefe entspricht etwa der lateralen Ätzbreite.


KOH-Ätzen


Wafer bis 200 mm Durchmesser
Dieses Ätzverfahren führt zu Kavitäten und Durchgangslöchern in kristallinem Silizium. Bei Einsatz von <100> Si werden Strukturen unter einem Winkel von 54,74° erzeugt.


Ultraschall-Bohren


Wafer bis 300 mm Durchmesser
Beim Ultraschallbohren von Glas, Quarz und Si werden praktisch senkrechte Strukturen (bevorzugt Durchgangsbohrungen) ab einer Dimension von ca. 500 µm erzielt.


Sandstrahlen


Wafer bis 300 mm Durchmesser
Bei diesem besonders kostengünstigen Verfahren werden Kavitäten und Durchgangsbohrungen nahezu jeder vorstellbaren Geometrie mittels Abrasiv-Strukturierung hergestellt. Die Lagetoleranz der Strukturen liegt aufgrund einer lithographischen Prozessgrundlage bei <= 25 µm.


Diamantbohren


Wafer bis 300 mm Durchmesser
Dieses Einzelbohrverfahren zeichnet sich durch sehr genaue Lagetoleranzen senkrechter Durchgangsbohrungen in Glas, Quarz und Si aus. Die Lagetoleranz solcher Bohrungen zum Waferrand ist die bestmögliche mittels mechanischer Verfahren herstellbare im Markt und beträgt weniger als 25 µm.