News

Home Pfeil News Pfeil

News



22.08.2017
Substrate und Carrier Wafer für GaAs, GaN, SiC und InP

Plan Optik AG, der führende Hersteller von Glas- und Quarz-Wafern bietet ab sofort Substrate und wiederverwendbare Carrier Wafer für das Dünnwaferhandling von Galliumarsenid- (GaAs), Galliumnitrid- (GaN), Siliziumcarbid- (SiC) und Indiumphosphid- (InP) Wafern.

Diese Carrier aus Spezialgläsern weisen einen Wärmeausdehnungskoeffizienten (cte) auf, der jeweils für obige Halbleiter-Materialien angepasst wurde. Der cte erstreckt sich von 3,3 bis 7,2 ppm / K. Durch den angepassten cte eignen sich die Substrate beispielsweise als Ersatz für Saphirwafer zum Handling von GaAs-Wafer, mit gleichwertiger Leistung zu einem wesentlich günstigeren Preis pro Wafer.

Plan Optik besitzt seit vielen Jahren umfangreiche Erfahrungen in der Carrier Wafer-Produktion für das Dünnwaferhandling. Die Kombination der zuvor beschriebenen Materialeigenschaften mit der hohen Fachkompetenz der Plan Optik in der Erzeugung extrem niedriger mechanischer Toleranzen (Dickentoleranz weniger als ±2 µm und Gesamtdicken-Variation (TTV) kleiner 1 µm), bietet eine enorm große Anzahl an Anwendungsbereichen für Carrier und Substrate aus Glas.

Wafer und Carrier aus diesen Materialien sind in Dicken von 200 µm bis 900 µm erhältlich - manche auch in größeren Dicken bis zu 3000 µm. Wafer- und Carrier-Durchmesser reichen von 1" bis 300 mm.

Durch Nutzung neuester Strukturierungs-Technologien, können diese Wafer kundenspezifisch hergestellt und z.B. zusätzlich mit Löchern (zur chemischen Ablösung) versehen werden. Je nach Wunsch können mehr als 100.000 Löcher gleicher Größe eingebracht werden - dies sorgt für eine reibungslose und sichere Ablösung.

Carrier für das Dünnwaferhandling können bis zu 50 Mal wiederverwendet werden. Da die angewandten Materialien gegen nahezu alle Chemikalien, die bei der Halbleiter-Bearbeitung und in finalen Anwendungen zum Einsatz kommen, resistent sind, können die Carrier anschließend auch im Endprodukt verbleiben.