封装晶圆

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结构



Plan Optik 的结构晶圆采用化学湿制程与机械加工工艺。它采用氢氟酸(HF)来蚀刻玻璃与石英,氢氧化钾(KOH)来加工硅,以及使用超音波钻孔,喷砂,和钻石钻孔来加工玻璃,石英,与硅。这使得生产可以加工穿孔和盲孔以及腔体和沟槽。


氢氟酸(HF)蚀刻


最大可 8 吋(200 mm)晶圆。
这种等向蚀刻工艺是在玻璃和石英上面加工平底腔体的首选。按蚀刻的深度的不同,可形成光学等级的腔体。蚀刻的深度大约与蚀刻的横向宽度相同。


氢氧化钾(KOH)蚀刻


最大可 8 吋(200 mm)晶圆。
在单晶硅上面可以加工腔体与穿孔。在硅材料上钻孔时可以形成固定 54.74° 角度的孔。


超音波钻孔


最大可 12 吋(300 mm)晶圆。
超音波钻孔可在玻璃,石英和硅上面加工垂直结构(最适合于通孔),直径最小为 500 µm。


喷砂


最大可 12 吋(300 mm)晶圆。
这是相对较便宜的制程,藉由金刚砂等磨料来来生产腔体与通孔,可加工多种形状。由于曝光制程的应用使结构的公差可达到 <= 25 µm。


钻石钻孔


最大可 12 吋(300 mm)晶圆。
这种特殊钻孔制程的特点是能够在玻璃,石英和加工穿孔时孔制极其为精确的几何公差。这种机械加工的钻孔到晶圆边缘的位置公差最好可以做到小于 25 µm。