导电穿孔晶圆

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材料



Plan Optik 使用硼硅酸玻璃与高掺杂的硅来制造导电穿孔晶圆。*


硼硅酸玻璃


种类 Borofloat 33 ®
热膨胀系数(CTE) 3.25 x 10-6 K-1(与硅相近)
折射系数(nD 1.4713
电性 Dielectric constant (25°C; 1 MHz): 4.6
Loss factor (25°C; 1 MHz): 37x10-4
主要特色 热膨胀系数与硅相近,
可用于阳极键合


种类 高掺杂
掺杂物 P+ (Bor)
晶向 <100>
电阻 0.01 - 0.02 Ωcm

其他材料


Plan Optik 可依照客户的需要来选择市场上所有晶向以及掺杂的材料来制造导电穿孔晶圆。



* 所有的技术资料是依据原材料制造商所提供的资讯,请以原材料制造厂商的资讯为主,不另行通知及不负担特性变更等相关责任。