導電穿孔晶圓

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材料



Plan Optik 使用硼矽酸玻璃與高摻雜的矽來製造導電穿孔晶圓。*


硼矽酸玻璃


種類 Borofloat 33 ®
熱膨脹係數(CTE) 3.25 x 10-6 K-1(與矽相近)
折射係數(nD 1.4713
電性 Dielectric constant (25°C; 1 MHz): 4.6
Loss factor (25°C; 1 MHz): 37x10-4
主要特色 熱膨脹係數與矽相近,
可用於陽極鍵合


種類 高摻雜
摻雜物 P+ (Bor)
晶向 <100>
電阻 0.01 - 0.02 Ωcm

其他材料


Plan Optik 可依照客戶的需要來選擇市場上所有晶向以及摻雜的材料來製造導電穿孔晶圓。



* 所有的技術資料是依據原材料製造商所提供的資訊,請以原材料製造廠商的資訊為主,不另行通知及不負擔特性變更等相關責任。